2016-11-18 14:22:14
高效能超快充电速度 10nm制程骁龙835发布
【rom之家资讯】高通刚刚公布了下一代旗舰SoC的相关信息，跨过830，直接命名为骁龙835。这颗芯片采用了三星10nm FinFET工艺，支持全新升级的QC 4.0快充技术，要比上一代快上20%。
采用了三星10nm工艺的骁龙835处理器体积比上代缩小30%，同时还会有40%的功耗降低和27%的性能提升。这样一颗芯片不仅仅是高通芯片技术的成就，同样也是三星芯片代工业务的里程碑。
由于当下骁龙旗舰系列处理器的性能实际上已经有一定的溢出，所以相比起性能的提升，骁龙835所支持的QC 4.0快充技术更加引人注目：它能够让手机在15分钟内充电超过50%，这就意味着碎片化的充电更具效率，能够明显提升手机的整体续航。
从去年的例子，以及高通与三星的这一次密切合作看来，明年首发骁龙835芯片的机型很有可能就是三星Galaxy S8手机。而虽然目前高通并没有公布骁龙835的具体规格，但高通表示这颗芯片将会在2017年上半年正式上市。哪一家能够拿到这颗芯片，那么至少从性能上说，基本上就可以算是2017年的Android旗舰了。
